逆变器是逆变一种电力电子变换器，它可以将直流电转换为交流电，作原作用或者将交流电转换为不同频率、理和不同电压或不同相数的逆变交流电。其中，作原作用IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是理和逆变器中常用的一种半导体器件。IGBT有着普通MOSFET和BJT的逆变优点，具有高速度、作原作用低开关损耗和高输入阻抗等特点。理和

IGBT的逆变工作原理是基于PNP-N结构的双极晶体管和MOSFET的结合，它由三个区域组成：N区、作原作用P区和N+区。理和IGBT有两个PN结和一个MOSFET栅极，逆变PN结之间的作原作用区域是P区，而PN结和MOSFET栅极之间的理和区域是N区。当IGBT的栅极电压高于阈值电压时，电流可以流过N+区和P区，形成一个PNP结构；当栅极电压低于阈值电压时，PNP结断开并形成一个NPN结构。因此，IGBT的导通和截止是由栅极电压的控制来实现的。

在逆变器中，IGBT的作用是将直流电转换为交流电。在一个单向桥式逆变器中，IGBT可以将直流电源的正负极接到桥式电路的两端，然后通过控制IGBT的导通和截止，实现对交流电的输出。当IGBT导通时，电流可以从直流电源通过IGBT流入负载，然后返回到直流电源，从而实现正向电流。当IGBT截止时，电感和负载中的电流会继续流动，形成反向电流，从而实现交流电输出。因此，IGBT在逆变器中起着非常重要的作用。

总之，IGBT是逆变器中常用的一种半导体器件，具有高速度、低开关损耗和高输入阻抗等特点。它的工作原理基于PNP-N结构的双极晶体管和MOSFET的结合，可以实现对交流电的输出。